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元件参数资料
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参数目录33996
> DTC115EMT2L TRANS DGTL NPN 50V 20MA VMT3
型号:
DTC115EMT2L
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Rohm Semiconductor
描述:
TRANS DGTL NPN 50V 20MA VMT3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
DTC115EMT2L PDF
产品目录绘图
VMT-3 Package Top
标准包装
1
系列
-
晶体管类型
NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧)
100k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)
100k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
82 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大)
500nA
频率 - 转换
250MHz
功率 - 最大
150mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-723
供应商设备封装
VMT3
包装
标准包装
产品目录页面
1641 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
DTC115EMT2LDKR
查看DTC115EMT2L代理商
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